導(dǎo)航
產(chǎn)品特色
動(dòng)畫(huà)
即時(shí)檢測(cè)
WAFER基板于研磨制程中的膜厚
玻璃基板(強(qiáng)酸環(huán)境中)于減薄制程中的厚度變化
產(chǎn)品特色
● 非接觸式、非破壞性光學(xué)式膜厚檢測(cè)
● 采用分光干涉法實(shí)現(xiàn)高度檢測(cè)再現(xiàn)性
● 可進(jìn)行高速的即時(shí)研磨檢測(cè)
● 可穿越保護(hù)膜、觀景窗等中間層的檢測(cè)
● 可對(duì)應(yīng)長(zhǎng)工作距離、且容易安裝于產(chǎn)線或者設(shè)備中
● 體積小、省空間、設(shè)備安裝簡(jiǎn)易
● 可對(duì)應(yīng)線上檢測(cè)的外部信號(hào)觸發(fā)需求
● 采用最適合膜厚檢測(cè)的獨(dú)自解析演算法。(已取得專(zhuān)利)
● 可自動(dòng)進(jìn)行膜厚分布制圖(選配項(xiàng)目)
規(guī)格式樣
SF-3 | |
膜厚測(cè)量范圍 | 0.1 μm ~ 1600 μm※1 |
膜厚精度 | ±0.1% 以下 |
重復(fù)精度 | 0.001% 以下 |
測(cè)量時(shí)間 | 10msec 以下 |
測(cè)量光源 | 半導(dǎo)體光源 |
測(cè)量口徑 | φ27μm※2 |
WD | 3 mm ~ 200 mm |
測(cè)量時(shí)間 | 10msec 以下 |
※1 隨光譜儀種類(lèi)不同,厚度測(cè)量范圍不同
※2 最小φ6μm
