導航
產(chǎn)品信息
特點
● 可在紫外和可見（250至800nm）波長區(qū)域中測量橢圓參數(shù)
● 可分析納米級多層薄膜的厚度
● 可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
● 通過可變反射角測量，可詳細分析薄膜
● 通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能，增強操作便利性
● 通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
測量項目
測量橢圓參數(shù)（TANψ，COSΔ）
光學常數(shù)（n：折射率，k：消光系數(shù)）分析
薄膜厚度分析
用途
半導體晶圓
柵氧化膜，氮化膜
SiO2，SixOy，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy，poly-Si，ZnSe，BPSG，TiN
光學常數(shù)（波長色散）
復合半導體
AlxGa（1-x）多層膜、非晶硅
FPD
取向膜
等離子顯示器用ITO、MgO等
各種新材料
DLC（類金剛石碳）、超導薄膜、磁頭薄膜
光學薄膜
TiO2，SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
光刻領域
g線（436nm）、h線（405nm）、i線（365nm）和KrF（248nm）等波長的n、k評估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上，對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化，可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù)，即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
產(chǎn)品規(guī)格
型號 | FE-5000 |
|---|---|
樣品尺寸 | 200x200毫米 |
入射（反射）的角度范圍 | 45至90° |
入射點直徑*2 | 關于φ1.2sup*3 |
測定波長范圍*5 | 250至800納米 |
平臺驅(qū)動方式 | 手動/自動 |
裝載機兼容 | 可 |
尺寸，重量 | 1300（W）×900（D）×1750（H）mm 約350公斤*7 |
*1可以驅(qū)動偏振器，可以分離不感帶有效的位相板。
*2取決于短軸角度。
*3對應微小點（可選）
*4它是使用VLSI標準SiO2膜（100nm）時的值。
*5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。
*6光源因測量波長而異。
*7選擇自動平臺時的值。
